通过泡克尔斯效应研究石墨烯/6H-SiC在光照下的内部电场
摘要：基于电光Pockels效应和测量低强度偏振光的相位差，本文介绍了一种用于映射双折射晶体内部电场分布的方法。在研究的带有石墨热极的6H-SiC晶体中，在零偏压下，双折射和热光效应对实验结果有显著影响。我们通过添加Soleil-Babinet补偿器并根据晶体在激光照射下的热效应测量来处理这些现象。该方法可以推广和适用于能够承受足够高电压的任何Pockels晶体。我们证明在带带隙光照射下，半绝缘6H-SiC中产生了显著的空间电荷形成。
作者：Vaclav Dedic, Jakub Sanitrak, Tomas Fridrisek, Martin Rejhon, Bohdan Morzhuk, Mykhailo Shestopalov, Jan Kunc
论文ID：2308.10558
分类：Optics
分类简称：physics.optics
提交时间：2023-08-22