镁硅酸盐作为AlGaN/GaN金属氧化物高电子迁移率晶体管（MOSHEMT）的有效栅介质的研究
摘要：镁硅酸盐在AlGaN/GaN异质结上以多层MgO和SiO2的溅射沉积，并在氮(N2)环境中进行快速热退火。X射线光电子能谱(XPS)分析证实，经过850 $^circ$C 70秒退火后，出现了符合化学计量比的Mg硅酸盐(MgSiO3)。原子力显微镜(AFM)测量了Mg-Silicate的均方根(RMS)粗糙度为2.20 nm。与肖特基二极管相比，Mg硅酸盐/AlGaN/GaN金属-氧化物-半导体(MOS)二极管的反向泄漏电流显著降低了三个数量级。利用电容-电压(CV)特性近似估计出Mg硅酸盐的介电常数($\mathcal{E}_{Mg-Silicate}$)和与AlGaN的界面态密度(Dit)分别为约6.6和2.0 $\times$ 10$^{13}$ cm$^{-2}$eV$^{-1}$。
作者：Seshasainadh Pudi, Navneet Bhardwaj, Ritam Sarkar, V S Santhosh N Varma Bellamkonda, Umang Singh, Anshul Jain, Swagata Bhunia, Soumyadip Chatterjee, and Apurba Laha
论文ID：2308.08515
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-08-17