超导TSV接触用于低温电子器件
摘要：通过硅通孔（TKV）超导互连实现铌的制备的研究。实验结果表明，在制备过程中采用超级循环可以显著改善TKV壁的质量并消除缺陷类型-扇贝。经过12次超级循环的重复，观察到在样品的正面和背面上通过超导带的耗散键合。该键合的临界电流密度为5x104 A/cm2。在形成电耦合的基底厚度与孔直径的临界比率为3：1。
作者：Ivan Filippov, Alexandr Anikanov, Aleksandr Rykov, Alexander Mumlyakov, Maksim Shibalov, Igor Trofimov, Nikolay Porokhov, Yuriy Anufriev and Michael Tarkhov
论文ID：2308.06000
分类：Superconductivity
分类简称：cond-mat.supr-con
提交时间：2023-08-14