高导电钨亚氧化物纳米管
摘要：钨亚氧化物W18O(52.4-52.9)（或等效地为WO(2.91-2.94)）纳米管（直径为2到3纳米，长约微米）表现出高电子导电性（> 10^2 S/cm，最高可达10^3 S/cm）。通过超高真空下的四探针扫描隧道显微镜在120至300K温度范围内测量了导电性。这些纳米管是通过低温、低成本的溶剂热法合成的。它们自组装成束状结构，由数百根纳米管形成纳米线（长度约为微米，宽度为几十纳米）。我们观察到导电性的大量各向异性，长向导电性/垂直导电性的比值约为10^5。其中大部分（约65至95%）表现出类金属的热激活非电子输运行为。其中少数纳米管的导电性较低（10至10^2 S/cm），显示出变距离跳跃行为。在这种情况下，推测存在约为0.24电子伏特的跳跃势垒能，与计算得到的氧空位能级位于导带下一致。该研究结果与约3%的氧空位相对平均浓度一致，这一浓度理论上预测了半导体到金属的转变。这些钨亚氧化物纳米结构在纳米电子学领域有广泛的应用前景。
作者：C''ecile Huez, Maxime Berthe, Florence Volatron, Jean-Michel Guigner, Dalil Brouri, Lise-Marie Chamoreau, Beno^it Baptiste, Anna Proust and Dominique Vuillaume
论文ID：2308.02924
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-08-08