钛-钒合金薄膜的环境温度生长和超导性能
摘要：在SiO2包覆的Si基底上生长的Ti-V合金薄膜的环境温度生长和超导特性的优化研究。通过共溅射Ti和V靶材合成这些薄膜，并沉积具有不同Ti浓度的薄膜以使薄膜的临界温度(TC)优化到接近体材料值。在Ti40V60组成中获得了最大的TC值为5.2 K，当在Ti-V薄膜下加入10 nm厚的Ti底层时，进一步增至6.2 K。GIXRD测量证实了所需晶体结构中的Ti-V合金的形成。通过磁输运测量估计了薄膜的上临界场(HC2)。确定了Ti-V合金薄膜在超导辐射检测应用中的实用性。
作者：Shekhar Chandra Pandey, Shilpam Sharma, Ashish Khandelwal, M. K. Chattopadhyay
论文ID：2308.02303
分类：Superconductivity
分类简称：cond-mat.supr-con
提交时间：2023-08-07