通过自旋相关隧道效应磁化BCS超导体
摘要：通过两个大块超导体之间的电压偏置微狭口径，展示了自旋依赖的电子隧穿现象引起了构变附近的静态磁化和类Josephson的自旋电流。尽管自旋依赖隧穿在没有电压偏置的情况下会产生量子自旋涨落，但形成构成磁化所需的自旋三重态库珀对会被不同准电子和准空穴隧穿通道之间的破坏式干涉阻碍，除非对电子和空穴的隧穿态密度存在不对称性。通过打破电子-空穴隧穿态密度的对称性，并通过对器件进行偏置来产生电子-空穴隧穿不平衡，摧毁破坏性干涉并实现三重态库珀对的形成。因此，使超导体磁化变得可能。电压在解除阻碍自旋三重态库珀对形成的过程中的作用是电控非耗散自旋电子学现象的一个例子。
作者：O. Entin-Wohlman, R. I. Shekhter, M. Jonson, and A. Aharony
论文ID：2308.01159
分类：Superconductivity
分类简称：cond-mat.supr-con
提交时间：2023-08-03