界面谐振态诱导的正交磁化CoFeB/MgO/CoFeB中的负隧道磁电阻
摘要：具有正交磁化结构的CoFeB/MgO/CoFeB系统中观察到了较大的负隧道磁阻(TMR)。通过调节MgO障垒的厚度，负TMR组分在负电压偏置下可增强至20％。此外，隧道各向异性磁阻测量揭示了负TMR组分可能来源于底部铁磁层的少数载流子带中的界面共振态。补充的第一性原理计算进一步量化了界面共振态与费米能级位置之间的位置和强度关系。我们的工作不仅证实了界面共振态在MTJ的电子输运中的重要作用，还为新一代电压控制的MRAM和相关自旋电子学应用的设计提供了有价值的见解。
作者：Puyang Huang, Aitian Chen, Jianting Dong, Di Wu, Xinqi Liu, Zhenghang Zhi, Jiuming Liu, Albert Lee, Bin Fang, Jia Zhang, Xi-Xiang Zhang, and Xufeng Kou
论文ID：2307.14807
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-07-28