一个新的低增益雪崩二极管概念：双LGAD
摘要：双LGAD的新概念：提高电子学输入端的电荷量，保持与标准（单个）LGAD相等或更好的时间分辨率。通过将两个耦合的LGAD的电荷相加，同时仍使用单一前端电子学实现此目标。本研究从厚度为25um、35um和50um的单个LGAD开始进行。
作者：F. Carnesecchi, S. Strazzi, A. Alici, R.Arcidiacono, N. Cartiglia, D. Cavazza, S. Durando, M.Ferrero, A. Margotti, L. Menzio, R. Nania, B.Sabiu, G. Scioli, F. Siviero, V. Sola, and G. Vignola
论文ID：2307.14320
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2023-07-27