拓扑半金属TaAs中的等离子增强二次谐波发生
摘要：纳米等离子-维尔半金属（WSM）混合结构首次利用银纳米贴片天线和WSM砷化钽(TaAs)实现。所研究的混合WSM-纳米等离子体结构与裸露的TaAs薄膜相比，二次谐波产生（SHG）过程的增强程度显著，超过4.5倍。为了实现混合结构并保持TaAs的性质，开发了一种可扩展、非破坏性的制造方法，其中包括从单晶TaAs制备TaAs片状物体，覆盖硅氮化物过层，并滴银纳米贴片天线。裸露片状物体和混合纳米等离子体腔体的强极化响应表明，这种方法可保持TaAs晶体结构及其光学响应，并显著增强非线性性质。开发的方法充分利用等离子体的能力，控制和增强纳米尺度下的光-物质相互作用，以访问和设计WSM响应。这项工作是利用WSM拓扑特性进行高性能纳米光子器件的第一步。
作者：Morris M. Yang, Mustafa Ozlu, Samuel Peana, Vahagn Mkhitaryan, Demid Sychev, Xiaohui Xu, Zachariah M. Martin, Hasitha Suriya Arachchige, Alexei Lagoutchev, David Mandurus, Vladimir Shalaev and Alexandra Boltasseva
论文ID：2307.11184
分类：Optics
分类简称：physics.optics
提交时间：2023-07-24