未来对撞机的高压CMOS传感器的设计与性能：RD50合作研究
摘要：CERN RD50合作开发了适用于未来对撞机的耗尽单片有源像素CMOS传感器，旨在具有高辐射容忍度、良好的时间分辨率和高粒度像素探测器。最新的原型RD50-MPW3是一款150纳米高压CMOS LFoundry芯片，其像素间距为62微米，集成了数字和模拟读出电子器件在传感二极管内部。该芯片上的64 x 64个像素排列在32个双列中，其外围经过优化，可以实现高效的配置和快速的串行数据传输。对单个像素的后布局仿真显示每个像素的功耗为22微瓦，并且时间步进为9纳秒。该版本的前身RD50-MPW2经实验室束流测试表明符合仿真结果，并具有300皮秒的时间分辨率，无论在照射至剂量Phi_eq = 5 x 10^14 / cm^2之前还是之后。本文讨论了最新先进原型RD50-MPW3的设计、RD50-MPW3的初步结果以及RD50-MPW2的性能。
作者：Jory Sonneveld (for the RD50 Collaboration)
论文ID：2307.08600
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2023-07-18