用644-650 MHz腔中研究的铌的通量排除和材料特性
摘要：提高针对高Q ~650 MHz中高${eta}$椭圆腔的项目需要更加深入地了解磁性射频损耗机制和减轻方法。高温退火和快速冷却已被证明是促进腔内磁通驱逐的有效技术，然而它们的有效性程度观察到在铌材料批次和供应商之间存在差异。我们探索了快速冷却方法和高温退火（900{deg}C），在从两个不同的铌供应商（东京电开和宁夏）制造的644-650 MHz腔中促进了磁通驱逐效率。利用EBSD和PPMS方法，我们旨在将腔内磁通驱逐效率追溯到铌材料的具体可测量属性，如果确定了这些属性，就可以在制造腔之前预测铌材料的磁通驱逐性能，并实现对腔温处理的微调。
作者：K. McGee (1), S-H. Kim (1), P. Ostroumov (1), G. Eremeev (2), F. Furuta (2), M. Martinello (2), O. Melnychuk (2), A. Netepenko (2) ((1) FRIB/MSU, East Lansing, MI, U.S.A., (2) Fermilab, Batavia, IL)
论文ID：2307.05813
分类：Accelerator Physics
分类简称：physics.acc-ph
提交时间：2023-07-13