基于物理模型的2D肖特基势垒场效应晶体管的建模与验证
摘要：在这项工作中，我们描述了基于载流子在Schottky接触处的注入的二维（2D）Schottky势垒场效应晶体管（SB-FET）的电荷输运。我们首先开发了一个数值模型，用于描述发生在Schottky接触处的载流子热致和场发射注入过程。然后，简化数值模型以得到SB-FET中电流与电压（I-V）之间的解析方程。通过准确建模静电学和隧穿势垒宽度，获得控制载流子注入的结际侧向电场。与之前仅适用于近平衡条件的SB-FET模型不同，该模型适用于广泛的偏置范围，因为它将三维金属中的热致、热致场发射和场发射过程引入二维半导体中。I-V模型与我们实验室制作的2、3和4层双极MoTe2 SB-FET以及使用MoS2的单极2D SB-FET的已发表数据进行了验证。最后，通过将模型生成的数据与TCAD模拟数据进行比较，对模型的物理性质进行了严格测试。
作者：Ashwin Tunga, Zijing Zhao, Ankit Shukla, Wenjuan Zhu and Shaloo Rakheja
论文ID：2307.04851
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-07-12