双通道纳米管环绕场效应晶体管中的驱动电流增强
摘要：双通道NT GAAFET结构带有离子增益，在与具有相同占地面积的NT GAAFET和NW GAAFET进行比较时表现出异乎寻常的效果。与NT GAAFET和NW GAAFET相比，DC NT GAAFET的离子增益分别达到了64.8％和1.7倍。与NT GAAFET相比，DC NT GAAFET的Ioff降低了61.8％，而两种器件结构的SS几乎相当，但是DC NT GAAFET的Ion / Ioff比仍然微弱增加了2.4％，得益于大量的Ion增加，表明DC NT GAAFET具有持续的优越的门电静态控制性能，与NT GAAFET相比，不考虑额外的通道。另一方面，无论是DC NT GAAFET还是NT GAAFET在高操作速度和更好的电静态控制性能方面都表现出优越的器件性能，表现出抑制SCEs的特点。
作者：Laixiang Qin, Chunlai Li, Yiqun Wei, Zhangwei Xu, Jin He, Yandong He, Yutao Yue
论文ID：2307.02226
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-07-06