带有任意阻抗源和通用填充模式的储存环中纵向束团分布的平衡。
摘要：在存储环中，提出了一种新的自洽半解析方法，用来计算具有任意填充模式和阻抗源存在时的稳态束流诱导电压。该理论是在空间域中使用谐振腔激发函数和在频域中使用任意阻抗函数开发的。使用SIRIUS存储环参数对结果进行了基准测试，证明了两种方法之间以及与宏观粒子跟踪模拟的良好一致性。此外，还研究了一种不同的方法来模拟主动射频腔的束流装载补偿，证明这是一种比通常方法更通用的描述。通过频域框架，可以直接评估宽带阻抗对纵向平衡的影响，而无需中间步骤，如拟合宽带谐振器或将短程激发与束团分布卷积。最后，还展示了利用被动高次谐波腔改善Touschek寿命的简单研究结果。
作者：Murilo B. Alves and Fernando H. de S''a
论文ID：2306.15795
分类：Accelerator Physics
分类简称：physics.acc-ph
提交时间：2023-07-21