5.5 MeV电子对高掺杂EPI-和Cz-硅引起的硼去除效应的研究
摘要：在低电阻率硅中，研究SI{5.5}{兆电子伏}电子对B$\_ ext{i}$O$\_ ext{i}$ （间隙硼~-~间隙氧）和C$\_ ext{i}$O$\_ ext{i}$（间隙碳~-~间隙氧）缺陷复合物的特性。使用两种不同类型的二极管，在电阻率约为10~$Omegacdot$cm的p型外延硅和Czochralski硅上制造，辐照剂量在SI{1e15}{persquarecentimeter}和SI{6e15}{persquarecentimeter}之间。这种二极管不能完全耗尽，因此仅通过热激活电流（TSC）实验无法准确评估缺陷浓度和特性（激活能，俘获截面，浓度）。在本研究中，我们证明通过在类似条件下进行热激活电容（TS-Cap）实验，并开发用于模拟TSC和TS-Cap测量中生成的B$\_ ext{i}$O$\_ ext{i}$信号的理论模型，可以进行准确评估。模拟了与温度变化有关的位置依赖电场，有效空间电荷密度$N\_ ext{eff}$的分布以及电场依赖电子发射过程中B$\_ ext{i}$O$\_ ext{i}$缺陷的占据。还介绍和讨论了在SI{20}{celsius}下从电流-电压和电容-电压测量中提取的宏观性能（漏电流和$N\_ ext{eff}$）。
作者：Chuan Liao, Eckhart Fretwurst, Erika Garutti, Joern Schwandt, Leonid Makarenko, Ioana Pintilie, Lucian Dragos Filip, Anja Himmerlich, Michael Moll, Yana Gurimskaya and Zheng Li
论文ID：2306.14736
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-08-16