Nb/Al-AlO$_x$/Nb三层结构的动态与静态氧化对比
摘要：高质量的Nb基超导体-绝缘体-超导体（SIS）结构具有从Al覆盖层中生长的Al氧化物（AlO_x）隧道屏障在文献中被广泛报道。然而，高临界电流密度（J_c）结构所需的薄屏障存在缺陷，导致显著的亚带泄漏电流，对许多应用有害。可以通过使用AlN_x隧道屏障实现高质量、高J_c结构，但与AlO_x相比，J_c的控制更加困难。因此，研究薄AlO_x屏障的生长对于实现高质量、高J_c的AlO_x结构具有重要意义。本研究中，100％O_2和2％O_2在Ar气体混合物中静态和动态地用于生长具有不同氧暴露量的AlO_x隧道屏障。首次使用原位椭圆偏振仪实时广泛测量AlO_x隧道屏障的生长情况，揭示出了一些意外的规律。最后，制备了一组测试结构晶片，以进一步验证实验设置中J_c对氧暴露量（E）的依赖性已被广泛认可。
作者：Tannaz Farrahi, Alan W. Kleinsasser, Michael Cyberey, Jie Wang, Micahel B. Eller, Jian Z. Zhang, Anthony R. Kerr, Joseph G. Lambert, Robert M. Weikle, and Arthur W. Lichtenberger
论文ID：2306.12684
分类：Superconductivity
分类简称：cond-mat.supr-con
提交时间：2023-06-23