GaN HEMT的电热性能评估的双温度原理

摘要:研究:GaN高电子迁移率晶体管中的自热效应的TCAD和声子Monte Carlo模拟 标题:GaN高电子迁移率晶体管中的自热效应研究

作者:Yang Shen, Bing-Yang Cao

论文ID:2306.08911

分类:Applied Physics

分类简称:physics.app-ph

提交时间:2023-06-16

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