受辐照的MOS电容器Si/SiO₂界面表面损伤建模
摘要：氧化硅被覆的硅探测器由于电离辐射引起的表面破损主要是正电荷层的积累，以及氧化物电荷和接近Si/SiO₂界面的界面陷阱的困 trapped-oxide-charge 和界面陷阱的累积造成的。高密度的正电荷界面对于$n$-on-$p$传感器的操作可能具有不利影响，因为在Si/SiO₂界面下生成的反转层可以通过在电极之间创建导电通道来导致位置分辨率的损失。在辐射诱导的氧化物电荷和界面陷阱的研究中，n/$gamma$-和$gamma$-辐照的金属-氧化物-半导体（MOS）电容的电容-电压特性研究表明，当氧化物电荷密度辅以与氧化物电荷相当的受主型和施主型深层界面陷阱密度时，测量结果与模拟结果可以得到密切的一致性。使用调整过的氧化物电荷密度和界面陷阱的相应间隔电阻模拟结果显示与实验结果密切一致。辐射诱导的深层界面陷阱积累对于电极间隔的隔离具有积极影响，可在极端辐射环境下优化$n$-on-$p$传感器上的隔离注入参数的处理中考虑。
作者：N. Akchurin, G. Altopp, B. Burkle, W. D. Frey, U. Heintz, N. Hinton, M. Hoeferkamp, Y. Kazhykarim, V. Kuryatkov, T. Mengke, T. Peltola, S. Seidel, E. Spencer, M. Tripathi, J. Voelker
论文ID：2305.14316
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2023-08-02