$^{160}$Eu的衰变谱学：激发态的准粒子构型及$^{160}$Gd中$K^{\pi}=4^+$带头结构
摘要：改进对$^{160}$Gd核的核结构的理解，特别是$K\pi$=$4^+$带的研究，以及研究$^{160}$Eu衰变为$^{160}$Gd的$\eta$-衰变。观测到了$^{160}$Gd中的两个新的激发态和十个新的跃迁。测定了$^{160}$Eu中低自旋异构体和高自旋异构体的$\eta$-衰变半衰期，并且发现低自旋态的半衰期为$t_{1/2}=26.0(8)$秒，比之前的测量结果短约16%。首次测定了$^{160}$Gd中$K\pi$=$4^+$带的两个带头态的寿命，以及出自这些带头态的强跃迁的$gamma$-$gamma$角度相关性和混合比。生命周期和混合比表明，六角形顿振模型在$^{160}$Gd中的$K\pi$=$4^+$带头态上优于简单的两态强混合情形，但还需要进一步的理论计算来完全理解这些态。此外，通过$\eta$-衰变大量产生的位于1999.0 keV的态在$^{160}$Gd中具有正宇称，这引发了对$^{160}$Eu高自旋$\eta$-衰变态结构的疑问。
作者：D. Yates, R. Kruecken, I. Dillmann, P.E. Garrett, B. Olaizola, V. Vedia, F.A. Ali, C. Andreoiu, W. Ashfield, G.C. Ball, Z. Beadle, N. Bernier, S.S. Bhattacharjee, H. Bidaman, V. Bildstein, D. Bishop, M. Bowry, C. Burbadge, R. Caballero-Folch, D.Z. Chaney, D.C. Cross, A. Diaz Varela, M.R. Dunlop, R. Dunlop, L.J. Evitts, F.H. Garcia, A.B. Garnsworthy, S. Georges, S.A. Gillespie, G. Hackman, J. Henderson, S. Jigmeddorj, J. Lassen, R. Li, B.K. Luna, A.D. MacLean, C.R. Natzke, C.M. Petrache, A.J. Radich, M.M. Rajabali, P.H. Regan, Y. Saito, J. Smallcombe, J.K. Smith, M. Spieker, C.E. Svensson, A. Teigelhoefer K. Whitmore, T. Zidar
论文ID：2305.11324
分类：Nuclear Experiment
分类简称：nucl-ex
提交时间：2023-06-28