汞同位素的奇偶错位和电荷半径的拐点结构：基于连续形变相对论Hartree-Bogoliubov理论
摘要：汞同位素中的奇偶错位相对电荷半径（OES）已于1977年首次测量，并最近通过先进的光谱技术得到确认。为了理解这一现象背后的核结构，我们采用了形变相对论Hartree-Bogoliubov理论在连续介质中（DRHBc）。我们的分析揭示，观察到的在$^{180 - 186}$Hg同位素中的OES可以归因于偶数Hg同位素中不同核形状的共存。具体来说，我们证明了$^{181,183,185}$Hg的长椭圆形和$^{180,182,184,186}$Hg同位素的短椭圆形相比，会导致电荷半径的增加。我们解释了核形状转变引起的OES与核子单粒子态的演化$1i_{13/2}$，$1h_{9/2}$和$1h_{9/2}$态有关。此外，我们通过$1i_{11/2}$态的膨胀，阐明了在$N = 126$魔数壳层附近的汞同位素的电荷半径的拐点结构。
作者：Myeong-Hwan Mun, Seonghyun Kim, W. Y. So and Myung-Ki Cheoun
论文ID：2305.09205
分类：Nuclear Theory
分类简称：nucl-th
提交时间：2023-06-02