通过光学传送带向GaN-on-sapphire芯片输送冷原子
摘要：基于GaN-on-sapphire芯片和光学传送带将一个原子团队从自由空间输运到芯片上的混合光子-原子芯片平台的演示实验。原子的最大输运效率约为50％，输运距离为500μm。我们的结果为冷原子高效加载到光子集成电路形成的蒸发场陷阱开辟了一条新途径，该技术有望实现单个原子和单个光子之间的强大和可控交互。
作者：Lei Xu, Ling-Xiao Wang, Guang-Jie Chen, Liang Chen, Yuan-Hao Yang, Xin-Biao Xu, Aiping Liu, Chuan-Feng Li, Guang-Can Guo, Chang-Ling Zou, Guo-Yong Xiang
论文ID：2305.07900
分类：Atomic Physics
分类简称：physics.atom-ph
提交时间：2023-05-16