磷控制下的GaAs-InP核壳弯曲纳米线的非对称生长
摘要：突破当前制造技术所能实现的范围，将纳米结构工程拓展至纳米技术的下一代是至关重要的。应变工程弯曲纳米线异质结的纳米外延为底层自下而上和可拓展的纳米线器件制备提供了有望的平台。这些结构的合成需要选择性的非对称沉积晶格失配外壳，这是一个复杂的生长过程，目前尚不完全理解。本文介绍了GaAs-InP核壳弯曲纳米线及连接纳米线对形成纳米拱的纳米外延生长。纳米线横截面的成分分析揭示了原子扩散在纳米外延生长过程中的关键作用，导致两种不同的生长机制：铟扩散受限生长和磷限定生长。高度可控的磷限定生长模式被用于合成连接纳米线对，并量化了流量遮挡对外壳生长过程的作用。这些结果为三维纳米外延提供了重要的见解，并为纳米线器件制备开启了新的可能性。
作者：Spencer McDermott, Trevor R. Smith, Ray R. LaPierre, and Ryan B. Lewis
论文ID：2305.07252
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-05-16