(In,Ga)(As,Sb)/GaAs/GaP量子点在纳米存储应用中由薄GaSb覆盖层超越的异常发光温度依赖性
摘要：(In,Ga)(As,Sb)/GaAs量子点在GaP (100)基质中具有可变厚度的薄GaSb覆盖层。通过温度依赖的光致发光研究QD样品，并通过使用八带体波函数方法和配置相互作用方法的多粒子修正来分析结果。发现与QD发射对应的发光带显示出异常的温度依赖，即能量随温度从10K增加到大约70K增加，然后在较高温度下减小。通过对发光光谱进行详细拟合，选取与理论能量对应的高斯带，解释这种异常的温度依赖性是由于光致发光光谱中激子态的动量直接和间接跃迁的混合导致的。还发现，在低温下，在我们的系统中，型-I区域的${fk}$-间接电子-空穴跃迁光学强度高于$Gamma$${fk}$-直接跃迁。此外，发现QD被超过一层GaSb覆盖后，带对齐从型-I到型-II发生变化。最后，根据理论预测，在(Ga,Ga)(As,Sb)/GaAs/AlP/GaP量子点上覆盖有不同厚度的GaSb层，用作QD-Flash纳米存储器概念中的存储单元的保存时间。如预期的对于富含Sb的QD来说，仅使用2个分子层厚度的GaSb覆盖层，这种QD的预计存储时间超过了10年的非挥发性限制。
作者：Elisa Maddalena Sala, Petr Klenovsk''y
论文ID：2305.03482
分类：Mesoscale and Nanoscale Physics
分类简称：cond-mat.mes-hall
提交时间：2023-08-31