射频六角硼氮开关的静态和小信号建模
摘要：基于二维硼氮化物（hBN）介电材料，给出了用来描述射频（RF）开关的总体性能的第一个建模近似。通过等效电路模型，描述了使用hBN制造的RF二维开关的I-V特性、固有和外部阻抗参数、回波损耗、插入损耗和隔离参数。得到了简单明了的解析表达式。与传统开关相比，hBN开关在ON状态下，即插入损耗随频率直接改善的独特射频性能，通过在模型的固有部分考虑电容器来精确描述。后者被认为与电阻切换机制期间储存电荷有关。所提出的方法在建模和测量的回波损耗之间得到的最高平均相对误差为7.6％，而先前具有不完整固有器件描述的模型获得的误差为42.5％。
作者：Anibal Pacheco-Sanchez, Omar Jord''an-Garc''ia, Eloy Ram''rez-Garc''ia, David Jim''enez
论文ID：2304.12106
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-04-25