硅材料中固有缺陷的形成能源——来自Galitskii-Migdal公式
摘要：基于GW方法和Galitskii-Migdal公式计算硅的自动生成缺陷的形成能。我们应用了两种计算电子响应函数的方法。第一种方法是通过频率的直接积分来确定响应函数。RPA框架内只假设了谱函数的对角形式，但是超元计算非常耗时。因此，我们提出了在等离子体极点近似下计算响应函数，并采用一定的混合常数对GW对交换相关能的贡献进行考虑。该常数的值通过与实验数据的对应关系来确定。这使得在计算成本明显较低的情况下获得与第一种方法相媲美的准确性。所描述的方法被用来计算以214-217个硅原子为超元的中性自缺陷、空位和两个双缺陷结构的形成能。
作者：N.L. Matsko
论文ID：2304.07873
分类：Computational Physics
分类简称：physics.comp-ph
提交时间：2023-04-18