高压（>650V）共源极双向AlGaN/GaN HEMTs的综合TCAD仿真研究
摘要：单片式共栅双向GaN HEMT的广泛TCAD模拟分析进行了。我们使用了4微米和6微米的栅间距，这是使用两个场板优化的器件。其击穿电压分别为675V和915V。在两个栅附近包含场板同时产生了晶体管两端的电场峰值。这导致更好的电场管理或单位长度的更高阻塞电压。因此，675V的单片双向HEMT相比650V的典型串并联结构具有令人印象深刻的40％的导通电阻改进。
作者：Md Tahmidul Alam and Chirag Gupta
论文ID：2304.04648
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-04-11