RRAM无源交叉阵列中的热串扰分析
摘要：电阻式随机存取存储器（RRAM）器件的装配密度增加时，交叉排列的器件之间热串扰效应会显著影响其整体运行。在密集堆积的RRAM交叉阵列中，电热效应可以加速保持和耐久性的退化，从而对可靠性构成严重威胁。本文使用COMSOL多物理模拟系统系统地研究了被动RRAM交叉阵列中的电热效应。此外，我们提出了一种方法来模拟热串扰效应，并将其纳入基于物理的、与SPICE兼容的RRAM紧凑模型中。最后，我们通过校准的SPICE模拟演示了热耦合对RRAM交叉阵列在向量矩阵乘法方面运行的影响。
作者：Shubham Pande, Bhaswar Chakrabarti and Anjan Chakravorty
论文ID：2304.01439
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2023-04-05