芯片上高Q值谐振器中的OH吸收
摘要：热硅是所有硅光学电路中常用的绝缘体。由于热氧化过程的潮湿性质，结合了羟基离子(Si-OH)可以在该材料中提供显著的光损耗组分。通过在1380nm处量化OH吸收来相对于其他机制衡量这种损耗是一种方便的方法。在这里，利用超高Q值的热硅楔形微腔，测量并区分了OH吸收损耗峰与散射损耗基线，波长范围为680nm到1550nm。在近可见和可见光波长下观察到了创纪录的芯片上腔体积品质因数Q。在通信波段，吸收限制的Q因数高达80亿。通过Q值测量和次级离子质谱(SIMS)深度剖析，可以推测出OH离子含量约为2.4ppm(重量)。
作者：Lue Wu, Maodong Gao, Jin-Yu Liu, Hao-Jing Chen, Kellan Colburn, Henry A. Blauvelt, Kerry J. Vahala
论文ID：2303.17814
分类：Optics
分类简称：physics.optics
提交时间：2023-07-05