7.86千伏钇盖纳胶化物PN功率二极管及其用于电场管理的钛酸钡
摘要：基于GaN的器件具有高击穿场和高电子迁移率，对于高功率开关应用具有巨大潜力。在本研究中，我们提出了一种垂直结构的GaN-on-GaN PN功率二极管器件设计，使用高介电常数（高-k）介质来管理电场和实现高击穿电压，同时配备保护环和场板。在GaN基片上，制备的二极管具有57微米厚的漂移层，其击穿电压为7.86千伏。该器件具有2.8毫欧姆·厘米平方的导通电阻和22吉瓦/厘米平方的Baliga优势。
作者：Yibo Xu, Vijay Gopal Thirupakuzi Vangipuram, Vishank Telasara, Junao Cheng, Yuxuan Zhang, Tadao Hashimoto, Edward Letts, Daryl Key, Hongping Zhao, Wu Lu
论文ID：2303.15646
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-03-29