高斯过程回归自适应密度引导方法：面向较大分子的势能面计算
摘要：一种新的高斯过程回归自适应密度引导方法在MidasCpp程序中的实现《化学物理学杂志》（2020年153卷064105期）。通过一系列技术和方法上的改进，我们能够将这种方法扩展到比以前更大的分子系统的计算，并保持构建的势能面的非常高的精度。我们在一组不断增长的分子测试集上展示了这种方法的性能，并显示出可以避免高达80％的单点计算，在基本激发中引入大约3 cm$^{-1}$的均方根偏差。通过收敛阈值更紧仍然可以实现误差小于1 cm$^{-1}$的更高精度，并将单点计算的数量减少高达68％。我们进一步通过对采用不同电子结构方法时的壁时间的详细分析来支持我们的发现。我们的结果表明，GPR-ADGA是一种有效的工具，可以用于成本效益高、适用于高精度振动光谱模拟的势能面计算。
作者：Denis G. Artiukhin, Ian H. Godtliebsen, Gunnar Schmitz, Ove Christiansen
论文ID：2303.15188
分类：Chemical Physics
分类简称：physics.chem-ph
提交时间：2023-07-26