聚焦铷离子辐照下硅表面损伤的研究
摘要：冷原子离子源已经作为聚焦离子束(FIB)的替代源开发和商业化。目前，相关应用和研究尚未广泛报道。本文使用原型铷聚焦离子束研究了8.5 keV能量的Rb$^+$离子对硅材料的辐照损伤，以检验铷对纳米加工应用的适用性。应用透射电子显微镜结合能量色散X射线光谱学来研究不同剂量铷离子辐照的硅样品。实验结果显示，受辐照的硅材料有一个由无铷氧化的外层和主要含铷的内层构成的双重损伤层，内层与基底的界面接触。稳态损伤层的测量厚度为$23.2(pm 0.3)$ nm，铷染色水平为$7(pm1)$原子百分比。
作者：S. Xu, Y. Li, M. A. Verheijen, E. R. Kieft, and E. J. D. Vredenbregt
论文ID：2303.09315
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-07-05