半导体聚合物中的电场诱导负电容
摘要：聚(3-己基噻吩)中的电场相关电容和介电损耗通过精准电容桥测量。载流子迁移率和密度通过电流-电压和电容数据拟合估计。电容在较低频率下变化较大，并且在较高电场下减小。低频高电场下的负电容是由于偶极场和交流信号之间的负相位角引起的。通过与莫特-肖特基方程拟合来计算内禀载流子密度，这与I-V数据分析一致。在较高频率下，载流子不遵循交流信号，密度下降；而平带电位主要由样品中有序和非晶区域内的内建位势增加。
作者：Sougata Mandal and Reghu Menon
论文ID：2303.00976
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-03-03