支持数字和模拟项目的多模式混合氧化物电阻变量器件-CMOS原型平台
摘要：整合CMOS和铪氧化物记忆电阻器技术的集成电路的设计，为涉及记忆电阻器项目提供了原型平台。我们的电路包括使用数字电路中的记忆电阻器的周边电路，以及具有直接访问记忆电阻器的模拟模式。该平台允许优化读写记忆电阻器的条件，以及开发和测试基于记忆电阻器的创新神经形态学概念。
作者：Kamel-Eddine Harabi, Clement Turck, Marie Drouhin, Adrien Renaudineau, Thomas Bersani--Veroni, Damien Querlioz, Tifenn Hirtzlin, Elisa Vianello, Marc Bocquet, Jean-Michel Portal
论文ID：2302.14577
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2023-03-01