铟键合与停止蚀刻（IBASE）技术用于薄高迁移率GaAs/AlGaAs外延层的双面加工
摘要：一种可靠的法翻转芯片技术用于双面处理薄 (<1 微米) 高移动性 GaAs/ AlGaAs 外延层。该技术允许利用前端对准精度较高的前端对准仅在薄GaAs/ AlGaAs 薄膜上制造小尺寸 (微米尺寸，标准 UV 光刻术) 的背门模式结构和双门结构。该技术保持高移动性 (>10^6 cm^2 /V-s，在 2 K 时) 和大部分 (＞95%) 二维电子气 (2DEG) 系统的电荷密度，并且通过小于 1V 的静电门偏置，能够线性调节电荷密度。我们的技术是基于一种新型 THz 量子阱探测器，基于单个宽 GaAs/ AlGaAs 量子阱的亚带间跃迁，该探测器需要一个对称、对齐良好的双门结构 (typical gate dimension 为 5x5 微米) 以精确、准确地调节THz探测频率。通过我们的铟键和阻挡蚀刻 (IBASE) 技术，我们在含有40 纳米的调制掺杂的单方形量子阱的660纳米厚GaAs/ AlGaAs 外延层上实现了这种双门结构。通过独立控制电荷密度和门间 DC 电场的设定，我们在30 K时展示了对40纳米量子阱在3.44 THz附近的亚带吸收行为的稳健调谐。
作者：Changyun Yoo, Kenneth W. West, Loren N. Pfeiffer, Chris A. Curwen, Jonathan H. Kawamura, Boris S. Karasik, and Mark S. Sherwin
论文ID：2302.11057
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2023-06-21