硅低增益雪崩探测器上边缘瞬态电流技术的模拟
摘要：获得非辐照硅p-i-n探测器和低增益雪崩检测器上边缘瞬态电流技术的模拟过程。在这项工作中，设置了一个p+增益层结构，并引入有效替代雪崩过程的方法，这是粒子探测器水平上的首个模拟结果。在波形、幅值、上升时间和电荷收集等几个方面，模拟与数据之间取得了良好的一致性，保证了这项工作的可靠性，证明了其模拟其他具有内置增益的半导体器件的潜力。还进行了电场测量模拟的尝试。
作者：Chenxi Fu, Haobo Wang, Suyu Xiao, Tao Yang, Zijun Xu, Congcong Wang, Jianing Lin, Weimin Song, Ryuta Kiuchi, Xiaoshen Kang, Xin Shi
论文ID：2302.10020
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2023-02-21