冷锶的过壁少光子单电离
摘要：在使用400 nm飞秒激光脉冲照射强度为$I=3 imes10^9$ W/cm$^2$ - $4.5 imes10^{12}$ W/cm$^2$的镓热光陷中冷却的铷(Rb)原子的光电离，其特点是基态5$S\_{1/2}$和激发态5$P\_{3/2}$共存，通过实验和理论进行了研究。 Rb$^+$的反冲离子动量分布(RIMD)显示出丰富的环状结构，其能量对应于一光子电离5 $P\_{3/2}$态，二光子和三光子电离 5$S\_{1/2}$态，分别。随着$I$的增加，我们发现RIMD中近零动量附近的实验信号由5$P\_{3/2}$态引起的大幅增强，并且其峰值的Rb$^+$动量明显减小，而来自5$S\_{1/2}$态的信号保持不变。同时，5$S\_{1/2}$态与5$P\_{3/2}$态之间的离子产率比从$I$变化到$I^{1.5}$，随着$I$的增加而变化。这些特性表明，5$P\_{3/2}$态的电离过渡从微扰电离向强微扰电离。通过求解时域薛定谔方程（TDSE）的数值模拟可以定性解释RIMD、光电离角分布以及离子产率比的测量结果。然而，仍然存在一些差异，特别是在NZM处的低谷，这可能是由于目前TDSE模拟中忽略了电子-电子关联造成的，因为我们采用了单活跃电子近似。
作者：Huanyu Ma, Xincheng Wang, Linxuan Zhang, Zhihan Zou, Junyang Yuan, Yixuan Ma, Rujin Lv, Zhenjie Shen, Tianmin Yan, Matthias Weidem"uller, Difa Ye, Yuhai Jiang
论文ID：2302.00124
分类：Atomic Physics
分类简称：physics.atom-ph
提交时间：2023-03-29