20皮秒时间分辨率的完全高效单片硅像素探测器（无内部增益层）
摘要：Monolith项目的第二个单片硅像素原型已经制造出来。该ASIC包含了一个100μm间距的六边形像素矩阵，通过低噪声和非常快速的SiGe HBT前端电子学进行读取。使用电阻率为350Ωcm的50μm厚外延层生产全耗尽传感器。实验室和测试束测量显示，像素矩阵中的模拟通道具有130V范围的偏置电压操作平台，效率为99.8％。尽管该原型不包含内部增益层，但为传感器和前端电子学的定时进行了优化设计，提供了20ps的时间分辨率。
作者：S. Zambito, M. Milanesio, T. Moretti, L. Paolozzi, M. Munker, R. Cardella, T. Kugathasan, F. Martinelli, A. Picardi, M. Elviretti, H. R"ucker, A. Trusch, F. Cadoux, R. Cardarelli, S. D''ebieux, Y. Favre, C. A. Fenoglio, D. Ferrere, S. Gonzalez-Sevilla, L. Iodice, R. Kotitsa, C. Magliocca, M. Nessi, A. Pizarro-Medina, J. Sabater Iglesias, J. Saidi, M. Vicente Barreto Pinto and G. Iacobucci
论文ID：2301.12244
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2023-04-12