垂直有机场效应晶体管性能影响因素的仿真研究
摘要：垂直场效应晶体管（VOFET）能够提供短通道结构，进一步增强低工作电压下的性能，使其在有机电子应用中更具可行性。VOFET可以使用低成本技术制备，降低高加工成本，并且能够在高电流密度和相对较高频率下工作。为了进一步提高性能、高电流密度和工作频率，应通过模拟来深入了解载流子输运的物理性质。VOFET的主要问题是高的静态电流，这是由于从源极到漏极接触的传导所不可避免的。通过在源极上方添加绝缘层来减少静态电流已经做了很多努力，但这进一步增加了制程的复杂性和成本。基于器件几何结构、接触势垒和有机半导体参数进行的模拟研究了VOFET中的载流子输运。模拟结果表明，提高性能最重要的因素是器件几何结构或架构，这需要特定的填充因子，即暴露的栅极介电层与源极总长度之间的比值。然后，对接触势垒和半导体参数的变化进行了优化的VOFET架构模拟，结果显示一定程度上提高了性能，但也导致了静态电流密度的上升。
作者：Ramesh Singh Bisht, and Pramod Kumar
论文ID：2301.09374
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-01-24