用阿秒非共线四波混频光谱技术测量氖原子内层价激发态的自电离衰变寿命
摘要：内质子电子激发的自电离衰变寿命通过使用一个阿秒极紫外（XUV）脉冲和两个几周期近红外（NIR）脉冲的阿秒非共线四波混频光谱法进行测量。在43-48 eV的XUV光子激发2s电子进入2s2p6 [np]利德伯级数之后，宽带NIR脉冲将2s2p6[3p] XUV亮态与相邻的2s2p6[3s]和2s2p6[3d] XUV暗态耦合。对于与阿秒XUV脉冲相对的一个或两个NIR脉冲的可控延迟，分别揭示了暗态或亮态的时间演化。实验测量得到的3s、3p和3d态的寿命分别为7 +/- 2 fs，48 +/- 8 fs和427 +/- 40 fs，置信度为95\%。附带使用两种独立的从头算方法（NewStock和ASTRA）进行的计算验证了这些结果。结果支持了自电离寿命应该较长的预期趋势，即具有较小径向区域2s空穴的穿透性的态，这种情况是针对较高角动量利德伯轨道。因此，基础理论将寿命结果与电子相关性联系起来，并评估自电离过程中的直接和交换项。
作者：Nicolette G. Puskar, Yen-Cheng Lin, James D. Gaynor, Maximilian C. Schuchter, Siddhartha Chattopadhyay, Carlos Marante, Ashley P. Fidler, Clare L. Keenan, Luca Argenti, Daniel M. Neumark and Stephen R. Leone
论文ID：2212.14443
分类：Atomic Physics
分类简称：physics.atom-ph
提交时间：2023-03-31