三维拓扑绝缘体表面和体内的激发波长依赖超快太赫兹辐射
摘要：三维拓扑绝缘体在超快 THz 光子学和自旋电子学等近期兴起的领域中具有各种有趣的性质，这些性质对于开发光螺旋度敏感的 THz 发射器和检测器非常有用。本文报道了三维拓扑绝缘体在飞秒激发脉冲波长和螺旋度依赖响应方面的研究，以实现增强的宽带 THz 脉冲发射。具体而言，我们在近紫外至近红外的大范围内变化激发波长，并研究了两个模型系统 Bi2Te3 和 Bi2Se3 单晶。观察到，在较短波长的光激发下，THz 从表面和体态的发射都有所增强。表面的贡献主要来自环光电旋效应，而体态的突出贡献来自光子拖曳效应。通过准确考虑材料中 THz 辐射的自由载流子吸收，解释了 THz 发射的波长依赖性。
作者：Anand Nivedan and Sunil Kumar
论文ID：2212.10956
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-05-03