基于神经元突触强度的记忆损失的分析描述
摘要：长期记忆（LTM）和短期记忆（STM）都被描述为随时间衰减的函数。然而，这种衰减的记忆函数目前是通过对受试者进行直接测试来获得的，其生理意义尚未完全理解。在这里，我们提供了一个基于平均突触强度的记忆损失的分析描述，该突触强度是一种被认为与记忆有关的生理参数。这种分析揭示了关于记忆机制的未知方面，特别是对于较少知的介于LTM和STM之间的中期记忆（ITM）。我们的分析描述提出了与记忆相关的重要问题的答案：为什么LTM和STM具有相关的表现？为什么模拟LTM的电生理实验方案只持续几个星期，而常规LTM持续几十年？ITM的机制是什么？我们的结果可能对具有记忆障碍的患者的医学治疗有临床意义。
作者：Hillel Sanhedrai and Shlomo Havlin and Hila Dvir
论文ID：2212.07225
分类：Neurons and Cognition
分类简称：q-bio.NC
提交时间：2022-12-15