直接和间接半导体中电容率精确描述的新光学模型
摘要：描述介电和半导体材料电容率虚部在基础吸收区域的新模型。我们根据著名的Tauc-Lorentz模型的结构和带波动方法，推导出描述直接和间接半导体的Urbach、Tauc和高吸收区域的5参数公式。模型的主要特点是在带隙以下自洽生成指数型的Urbach尾部，以及考虑了由电子跃迁引起的洛伦兹振荡器特性。我们将这些模型应用于直接（MAPbI3，GaAs和InP）、间接（GaP和c-Si）和非晶（a-Si）半导体的光学数据，并精确描述了电容率虚部的频谱。最后，我们将我们的模型与其他类似的模型进行比较，以评估光学带隙、Urbach尾部和振荡器中心共振能量。
作者：K. Liz''arraga, L. A. Enrique-Mor''an, A. Tejada, M. Pi~neiro, P. Llontop, E. Serquen, E. Perez, L. Korte, and J. A. Guerra
论文ID：2212.04012
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-06-21