低温共价键硅传感器P-N二极管单侧耗尽的TCT研究
摘要：低温共价晶片-晶片联接技术在粒子探测器领域中可以将高Z材料作为吸收层与标准CMOS工艺所制备的读出芯片进行集成，实现新型高效率X射线成像传感器的制造。为了研究共价键合对这种传感器产生的信号的影响，前期已经制作了晶片-晶片键合的硅-硅P-N垫片二极管。利用瞬态电流技术(TCT)测量正在研究这些测试样本的行为。本文介绍了TCT设置的概述，以及用于这些测量的自定义夹层样品架。通过回顾先前发表论文中的结果，我们发现键合的P-N结构在反向偏置下表现出高度不对称的耗尽行为。红外边界TCT测量证实，样品只有P面耗尽。
作者：Johannes W"uthrich, Christoph Alt, Andr''e Rubbia
论文ID：2211.15315
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2023-05-17