潜在的集成多状态记忆电阻器：3D互连磁性纳米线网络
摘要：三维磁性奈米线网络提供了一个有潜力的平台，用于三维信息存储和集成的神经形态计算。我们报道了磁场和电流驱动下，相互连接的钴纳米线网络中磁态的离散传播，并在磁电阻特征中表现出来。在这些网络中，在测量仅有少量相互连接的纳米线时，观察到了多个磁电阻拐点和局部极小值，其中包括在下降磁场扫描期间正磁场处的显著极小值。微磁性模拟显示，这种不寻常的特点是由纳米线交点处的磁域壁钉扎所致，这一点通过偏离轴电子全息成像得到了确认。在一个具有许多交叉点的复杂网络中，观察到了通过随机特性分开的相互连接的纳米线段的顺序切换。通过驱动电流密度进一步控制磁域壁的钉扎/解钉。这些结果展示了这种相互连接的网络作为集成多态记忆电阻器的潜力。
作者：Dhritiman Bhattacharya, Zhijie Chen, Christopher J. Jensen, Chen Liu, Edward C. Burks, Dustin A. Gilbert, Xixiang Zhang, Gen Yin, and Kai Liu
论文ID：2211.09687
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-01-02