基于GaN材料的发光二极管模拟，考虑成分波动效应
摘要：氮化三价金属光电二极管（LED）广泛应用于高效照明和显示应用，过去十年使能量节约显着。尽管GaN LED的应用广泛，但这些器件中InGaN/GaN异质结构的输运机制尚未得到很好解释。InGaN/GaN界面处的固定极化面电荷导致大的界面偶极电荷，从而产生巨大的电位垒。对于这种异质结构的穿透模型预测的通电电压明显高于实际设备中的电压。因此，传统的输运模型无法预测新设计的性能，如长波长LED或多量子阱LED。在本文中，我们展示出，在次微米尺度的量子阱中包含低和高铟组成可以准确预测GaN/InGaN发光二极管的特性。
作者：Sheikh Ifatur Rahman, Zane Jamal-Eddine, Zhanbo Xia, Mohammad Awwad, Rob Armitage, and Siddharth Rajan
论文ID：2211.05704
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2022-12-21