$^{72}$Ga核能级密度的集体增强及其对$^{71}$Ga(n, $gamma$)$^{72}$Ga俘获截面的影响
摘要：利用在反应中测量的γ门控质子能谱，通过使用统计模型 (SM) 计算方法得到了$^{71}$Ga 和 $^{72}$Ga 核的核能级密度 (NLD)。结果表明，通过在 Fermi 气体 (FG) 模型的 NLD 方法中使用逆能级密度参数 (k = 11.2 MeV) 的大值，可以很好地解释γ门控质子能谱。大值的k表明了转动增强现象，与其他质量区域的早期结果一致。此外，在NLD中引入了一个转动增强因子，并在SM计算中使用了这个系统的k值 (k = 8.6 MeV)，能够很好地解释γ门控质子能谱。结果明确地表明了NLD中的集体增强的存在。接下来，首次使用具有集体增强的NLD进行TALYS计算，计算了 $^{71}$Ga(n, γ)$^{72}$Ga 俘获截面。观察到，尽管在 $^{72}$Ga 的FG模型中没有用于集体增强的NLD会低估俘获数据，但经过转动增强的修正，FG模型在较高能量下会过高估计数据。然而，在0.01 MeV 到 0.1 MeV 能量范围内，经过转动增强修正的FG模型能很好地描述数据。因此，本研究表明，在描述低能俘获截面数据时，应考虑到集体增强效应。
作者：Rajkumar Santra, Balaram Dey, Subinit Roy, R. Palit, Md. S. R. Laskar, H. Pai, S. Rajbanshi, Sajad Ali, Saikat Bhattacharjee, F. S. Babra, Anjali Mukherjee, S. Jadhav, Balaji S Naidu, Abraham T. Vazhappilly, Sanjoy Pal
论文ID：2210.17065
分类：Nuclear Experiment
分类简称：nucl-ex
提交时间：2022-11-01