超快速HPSoC ASIC的跨阻放大器级别首次测试结果
摘要：HPSoC ASIC设计用于超快速硅探测器的读出的首个结果。该4通道ASIC采用TSMC的65纳米CMOS制造，已经针对50微米厚度的AC-LGAD进行了优化。用于对3x3 AC-LGAD阵列（500微米间距，200x200微米2金属）之上方的η粒子进行评估的模拟前端的输出上升时间为600皮秒，并且具有45皮秒的良好定时性能。进一步的校准实验和TCT激光研究表明存在一些增益限制，正在调查并驱动第二代前置放大级的设计，以实现15皮秒的抖动。
作者：C. Chock (1), K. Flood (1), L. Macchiarulo (1), I. Mostafanezhad (1), R. Perron (1), D. Uehara (1), F. Martinez-Mckinney (2), A. Martinez- Rojas (2), S. Mazza (2), M. Nizam (2), J. Ott (2), E. Ryan (2), H. F.-W. Sadrozinski (2), B. Schumm (2), A. Seiden (2), K. Shin (2), M. Tarka (2) M. Wilder (2), Y. Zhao (2) ((1) Nalu Scientific, Honolulu (2) Santa Cruz Institute for Particle Physics (SCIPP) Santa Cruz)
论文ID：2210.09555
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2023-02-22