利用电压控制磁各向异性解决交叉阵列中的窃读问题
摘要：通过利用磁隧道结构 (MTJ) 中的压控磁各向异性效应 (VCMA) ，提出了一种基于自旋电子器件设计的解决写入偷窜路径问题的方案。此外，提供了关于适当的工作电压条件的见解，以保持磁化轨迹在切换过程中的稳定性，这对于正确地操控切换概率至关重要。
作者：Kezhou Yang, Abhronil Sengupta
论文ID：2209.13677
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2023-04-12