硅中核反冲的电离效率:从约50电子伏特到3兆电子伏特

摘要:硅中的核反冲电离效率模型的研究

作者:Y. Sarkis, A. Aguilar-Arevalo and J.C. D'Olivo

论文ID:2209.04503

分类:Atomic Physics

分类简称:physics.atom-ph

提交时间:2023-06-21

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