乱序塔维斯-卡明斯模型的解析解及其法诺共振
摘要：统一耦合到量子腔模式的N个发射源被Tavis-Cummings模型描述。我们在存在非均匀耦合和能量紊乱的情况下给出了模型的完整解析解。还得到了解耦非均匀模型的明暗部分的精确表达式，并发现在热力学极限下，能量紊乱将明亮部分转化为可以轻松求解的Fano模型。我们全面研究了能量紊乱的效应，假设发射源跃迁能级服从高斯分布。我们比较了在弱耦合和强耦合区域内光吸收和非弹性电子散射中的Fano共振现象。我们研究了光吸收随着紊乱强度的增加而发生的变化，发现这将下、上极化子变为宽化的共振，最后转化为在裸腔光子能级处的单一共振，从而将系统从强耦合区域转变为弱耦合区域。有趣的是，我们发现尽管在弱耦合区域，Rabi分裂仍然存在，而强耦合区域的极化子峰可以在中等紊乱强度下几乎表示激子态。我们还计算了光子格林函数，以观察腔泄漏和非辐射发射源损耗的效应，并发现当腔泄漏与Fano展宽相当时，极化子线宽表现出最小值。
作者：M. Ahsan Zeb
论文ID：2208.11990
分类：Quantum Gases
分类简称：cond-mat.quant-gas
提交时间：2022-12-29